常用的一级RO+二级EDI+MB 电子I级超纯水系统工艺配置图

 适合于源水硬度高，有机物含量高，电导率（小于1000μs/cm），要求产水电阻率15～18MΩ·cm的超纯水系统

                  常用的一级RO+二级EDI电子+MB 电子I级超纯水系统工艺配置图

适合于源水硬度低，有机物含量低，电导率高（小于1000μs/cm），要求产水电阻率18～18.2MΩ·cm的超纯水系统

                      常用的一级RO+二级EDI电子Ⅱ级超纯水系统工艺配置图

适合于源水硬度低，有机物含量低，电导率高（小于1000μs/cm），要求产水电阻率15～18MΩ·cm的超纯水系统图 7是常用的一级EDI全系统组成图。

                           常用的产水水质稳定的二级RO+一级EDI+MB电子Ⅰ级超纯水系统组成图

适合于源水硬度低，有机物含量高，电导率 <1000μs/cm,即TDS < 500ppm时，要求产水电阻率18～18.2MΩ·cm的纯水系统

                      常用的产水水质稳定的二级RO+一级EDI电子Ⅱ级超纯水系统组成图

适合于源水硬度低，有机物含量高，电导率 <1000μs/cm,即TDS < 500ppm时，要求产水电阻率15～18.0MΩ·cm的的纯水系统。